DISPOSITIF A MEMOIRE NON VOLATILE

摘要

L'invention concerne un dispositif mémoire comprenant : une première cellule mémoire (102) comprenant un premier élément de mémorisation de données non volatile (106A) programmable pour mémoriser un premier bit de données ; et une deuxième cellule mémoire (104) comprenant un deuxième élément de mémorisation de données non volatile (106B) programmable pour mémoriser un deuxième bit de données ; dans lequel le premier élément est agencé pour avoir une première durée de rétention de données, et le deuxième élément est agencé pour avoir une deuxième durée de rétention de données différente de la première durée de rétention de données.