| 主权项 |
1.一种接触式影像感测器(Contact Image Sensor, CIS)装置,该装置至少包含:光源装置,该光源装置至少包括多个发光二极体和长条状光导管,该发光二极体排列于该光导管之长边形成光源阵列,其中光线从该光导管之该长边侧面进入,并从其相对长边之侧面射出;柱状透镜阵列,该柱状透镜阵列放置于该光源装置之光线路径上,用以聚集反射光线;及感测元件,该感测元件系位于该柱状透镜阵列之后,以便接收经过聚焦之该反射光线。2.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之发光二极体以等距离排列。3.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之光源装置所形成之光源为长矩形光线。4.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之光导管平面上未制作散射机构。5.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之光导管未包覆散射层。6.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之发光二极体所发出之光线将于该光导管中产生全反射。7.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之感测元件为互补式金氧半导体(CMOS)。8.如申请专利范围第1项之装置,其中上述之接触式影像感测器更包含了电路板和该感测元件耦合。9.一种接触式影像感测器(Contact Image Sensor, CIS)之光源装置,该装置至少包含:光导管,该光导管为长条状;发光二极体,该发光二极体排列于该光导管之长边形成光源阵列,而光线从该光导管之该长边侧面进入,再从其相对长边之侧面射出。10.如申请专利范围第9项之装置,其中上述之接触式影像感测器更包含了柱状透镜阵列和感测元件。11.如申请专利范围第10项之装置,其中上述之感测元件为互补式金氧半导体(CMOS)。12.如申请专利范围第10项之装置,其中上述之接触式影像感测器更包含了电路板以便和该感测元件耦合。13.如申请专利范围第9项之装置,其中上述之发光二极体至少包含二个以上且以等距离排列。14.如申请专利范围第9项之装置,其所形成之光源为长矩形光线。15.如申请专利范围第9项之装置,其中上述之光导管平面上未制作散射机构。16.如申请专利范围第9项之装置,其中上述之光导管未包覆散射层。17.如申请专利范围第9项之装置,其中上述之发光二极体所发出之光线将于该光导管中产生全反射。图式简单说明:第一图所示为传统之接触式影像感测器装置之截面示意图;第二图所示为传统之光源装置示意图,其中于光导管之截面贴附发光二极体;第三图为依照点光源之光线路径计算固定点照度之示意图;第四图为依照点光源阵列来计算固定点照度之示意图;第五图为依照本发明之接触式影像感测器装置之截面示意图;第六图所示为依照本发明之光源装置示意图,其中发光二极体位于光导管之长边;及第七图为第四图中依照本发明之光源装置的侧视图。 |
