PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE MEMOIRE ELECTRONIQUE A DOUBLE GRILLE ET CELLULE MEMOIRE ASSOCIEE

摘要

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule mémoire électronique à double grille, ladite cellule mémoire électronique comportant : - un substrat ; - une première structure de grille déposée sur le substrat, la première structure de grille présentant au moins un flanc latéral ; - un empilement comprenant plusieurs couches et dont au moins une desdites couches est apte à stocker des charges électriques, ledit empilement recouvrant au moins le flanc latéral de la première structure de grille et une partie du substrat ; - une deuxième structure de grille isolée de la première structure de grille et du substrat par l'empilement. La deuxième structure de grille comporte par ailleurs : - une première partie formée d'un premier matériau de grille ; - une deuxième partie formée d'un deuxième matériau de grille, ledit premier matériau de grille pouvant être gravé sélectivement par rapport au dit deuxième matériau de grille et ledit deuxième matériau de grille pouvant être gravé sélectivement par rapport au dit premier matériau de grille ; - une première zone de siliciuration s'étendant sur ladite première partie de la deuxième structure de grille ; - une deuxième zone de siliciuration s'étendant sur ladite deuxième partie de la deuxième structure de grille.