| 发明名称 |
信頼性が高められたハイパワー半導体電子部品 |
| 摘要 |
電子部品は、デプリーションモードトランジスタ、エンハンスメントモードトランジスタ及び抵抗器を備える。デプリーションモードトランジスタは、エンハンスメントモードトランジスタより高い降伏電圧を有する。抵抗器の第１の端子は、エンハンスメントモードトランジスタのソースに電気的に接続されており、抵抗器の第２の端子及びデプリーションモードトランジスタのソースは、それぞれエンハンスメントモードトランジスタのドレインに電気的に接続されている。デプリーションモードトランジスタのゲートは、エンハンスメントモードトランジスタのソースに電気的に接続してもよい。【選択図】 図４Ａ |
| 申请公布号 |
JP2015501079(A) |
申请公布日期 |
2015.01.08 |
| 申请号 |
JP20140534786 |
申请日期 |
2012.10.05 |
| 申请人 |
トランスフォーム インコーポレーテッド |
发明人 |
ラル，ラケシュ ケー．;コフィー，ロバート;ウー，イーフェン;パリク，プリミット;ドラ，ユバラジ;ミシュラ，ウメシュ;チョウドリー，シュラバンティ;フィヒテンバウム，ニコラス |
| 分类号 |
H01L21/8232;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/338;H01L21/8236;H01L25/07;H01L25/18;H01L27/06;H01L27/088;H01L27/095;H01L29/06;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812;H01L29/872 |
主分类号 |
H01L21/8232 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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