| 摘要 |
本発明は、第１の層（５）と、異なる電気的特性及び露出された表面（１３）を有する第２の層（７）との間に界面領域（９）を備える半導体デバイス用の基板であり、少なくとも第２の層（７）が欠陥及び／又は転位を含む、半導体デバイス用の基板を製造するための方法であって、ａ）欠陥及び／又は転位の１つ以上の位置で材料を除去し、それによって、界面領域（９）と交わる穴（１３ａ〜１３ｄ）を形成するステップと、ｂ）穴（３ａ〜１３ｄ）を不動態化するステップと、を含む、方法に関する。発明はまた、対応する半導体デバイス構造にも関する。【選択図】図１ｄ |
