| 摘要 |
本发明系提供一种可适切地将包含不良晶胞之领域置换为冗余阵列之半导体记忆体。该半导体记忆体系包含有：磁心阵列，系具有多数记忆晶胞者；冗余阵列，系可与含有磁心阵列内之不良晶胞的置换对象领域进行置换者；置换位址记忆体，系用以将含括前述不良晶胞两侧的第1置换对象领域之位址作为置换对象位址而加以记忆者；及冗余控制部，系用以控制磁心阵列与冗余阵列间之置换者。进而，冗余控制部系，当前述第1置换对象领域全位于磁心阵列内时，乃依前述置换对象位址而将该第1置换对象领域置换为冗余阵列，又，当前述第1置换对象领域中之一部分位于磁心阵列之外侧时，即将具有不良晶胞且位于前述磁心阵列内侧之第2置换对象领域置换为冗余阵列。 |
