发明名称 | 记忆体之增压电路 | ||
摘要 | 本案为一种记忆体之增压电路(Pumping Circuit),其特征在于使用一记忆元(DRAM cell)作为该增压电路之充电电容,以获得较大之电容值。 | ||
申请公布号 | TW200423142 | 申请公布日期 | 2004.11.01 |
申请号 | TW092109523 | 申请日期 | 2003.04.23 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 陈健中 |
分类号 | G11C5/14 | 主分类号 | G11C5/14 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区研新三路四号 |