发明名称 记忆体之增压电路
摘要 本案为一种记忆体之增压电路(Pumping Circuit),其特征在于使用一记忆元(DRAM cell)作为该增压电路之充电电容,以获得较大之电容值。
申请公布号 TW200423142 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092109523 申请日期 2003.04.23
申请人 华邦电子股份有限公司 发明人 陈健中
分类号 G11C5/14 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路四号