发明名称 具备有选择性可程式浮动闸极电晶体之闩锁电路之单次可程式位元单元
摘要 一种包括跨耦反相器闩锁电路之单次可程式(OTP)位元单元。一浮动闸极PMOS电晶体是在该等反相器的每一者中插入,该等浮动闸极PMOS电晶体之一或另一者能经由一内含的可程式电路而程式化,所以该闩锁电路的一差动电压输出能提供一对应的逻辑状态,且该对应的逻辑状态在每次读取时是相同的。若要将一选取的浮动闸极PMOS电晶体程式化,当该OTP位元单元的一高参考电压上升到一位准时,适当的写输入便能运用在该可程式电路,使得该选取的浮动闸极PMOS电晶体可程式化。
申请公布号 TW200423136 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092127684 申请日期 2003.10.06
申请人 HPL科技公司 发明人 达伦 德沙索;阿格斯提努 苏坦迪;杰森 史帝文
分类号 G11C16/04 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国