发明名称 半导体记忆体装置,其具有先进的资料闪控电路
摘要 一种用以预取M个N位元资料之资料闪控电路,M和N为正整数,其中包含用以根据资料闪控讯号,产生M个对齐控制讯号之资料闪控缓冲单元;具有M个闩锁区块之同步化区块,其各用以接收N位元资料,然后响应N-1个对齐控制讯号,以并联型式输出N-1位元资料,及响应其余的对齐控制讯号,输出1位元预取资料;及具有M个对齐区块之输出区块,其各用并联型式接收N-1位元资料,使N-1位元资料和对齐控制讯号同步,然后输出已同步化的N-1位元资料,当作N-1位元预取资料。
申请公布号 TW200423135 申请公布日期 2004.11.01
申请号 TW092137316 申请日期 2003.12.29
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 权奇昌
分类号 G11C11/4096 主分类号 G11C11/4096
代理机构 代理人 何金涂;李明宜
主权项
地址 韩国