| 摘要 |
<p>Eine Halbleitervorrichtung (100) gemäß der vorliegenden Erfindung enthält eine Grundplatte (1), eine Isolationslage (2), die auf einer oberen Oberfläche der Grundplatte (1) vorhanden ist, eine auf einer oberen Oberfläche der Isolationslage (2) vorhandene Metallstruktur (3), ein auf der Metallstruktur (3) befestigtes Halbleiterelement (7) und ein Isolationssubstrat (11), welches in Kontakt mit einer oberen Oberfläche des Halbleiterelements (7) angeordnet ist. Ein Ende (11b) des Isolationssubstrats (11) ist in der Draufsicht außerhalb des Halbleiterelements (7) angeordnet. Das Ende (11b) des Isolationssubstrats (11) und die Metallstruktur (3) sind direkt oder indirekt aneinander befestigt. Das Halbleiterelement (7) enthält eine Elektrode auf der oberen Oberfläche. Ein Abschnitt des Isolationssubstrats (11), mit dem in der Draufsicht die Elektrode auf der oberen Oberfläche des Halbleiterelements (7) überlappt, ist mit einem Durchgangsloch (11a) versehen.</p> |
