摘要 |
Eine hochgradig wärmeleitende Platine verhindert elektrochemische Migration durch Verhinderung des Herauslösens von Kupfer-Ionen. Die Platine ist eine Metallträgerplatine, die eine Metallträgerplatte mit einer isolierenden Harzschicht und einer Kupferfolienschicht enthält, die darauf in dieser Reihenfolge angeordnet sind. In der Leiterplatte enthält die isolierende Harzschicht einen ersten anorganischen Füllstoff aus anorganischen Partikeln mit Partikeldurchmessern von 0,1 nm bis 600 nm und einem mittleren Partikeldurchmesser (D50) von 1 nm bis 300 nm, und einen zweiten anorganischen Füllstoff aus anorganischen Partikeln mit Partikeldurchmessern von 100 nm bis 100 μm mit einem mittleren Partikeldurchmesser (D50) von 500 nm bis 20 μm, und der erste anorganische Füllstoff und der zweite anorganische Füllstoff sind gleichförmig in der isolierenden Harzschicht verteilt. |
申请人 |
FUJI ELECTRIC CO., LTD.;WASEDA UNIVERSITY |
发明人 |
OHKI, YOSHIMICHI,;WADA, GENTA,;OKAMOTO, KENJI,;HIROSE, YUICHI,;TANAKA, TOSHIKATSU, |