半導体マイクロワイヤあるいはナノワイヤの製造法と、当該マイクロワイヤあるいはナノワイヤを備える半導体構造、および半導体構造の製造法

摘要

光電気構造（１０）の形成に使われる少なくとも１つの半導体マイクロワイヤあるいはナノワイヤ（１５０）の製造法。当該方法は、以下のステップ、すなわち、半導体基板（１００）を準備するステップと、基板（１００）の上に結晶層いわゆるバッファ層を形成するステップであって、バッファ層（１１０）は、厚さの少なくとも一部を覆って、主にＭｇｘＮｙの窒化マグネシウムから成る第１区域（１１０）を持つステップとを備え、当該方法は、バッファ層の上に少なくとも１つの半導体マイクロワイヤあるいはナノワイヤ（１５０）を形成するステップも備える。本発明は、マイクロワイヤあるいはナノワイヤ（１５０）を備える光電気構造（１０）と、そのような構造（１０）の製造を可能にする方法とにも関する。