| 主权项 |
1.一种成长超薄氧化层的方法,包含下列步骤: a)将一基材与一臭氧水接触,该臭氧水含有介于10 ppb-20 ppm的臭氧浓度;及 b)将该基材与该臭氧水分离,于是在将该基材表面 上形成一厚度介于0.1-2.5奈米的超薄氧化层。 2.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤a)的基材 包含矽晶、非晶矽、复晶矽或玻璃基材。 3.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤a)的基材 为矽晶片。 4.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤a)的臭氧 水含有介于0.5-10 ppm的臭氧浓度。 5.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤a)的接触 系在5-100℃之间进行。 6.如申请专利范围第5项的方法,其中步骤a)的接触 系在室温进行。 7.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤a)的接触 进行10秒-10分钟。 8.如申请专利范围第1项的方法,其进一步包含在步 骤a)之前先对基材施以表面氮化处理。 9.如申请专利范围第1项的方法,其进一步包含在步 骤b)之后对超薄氧化层施以表面氮化处理。 10.如申请专利范围第1项的方法,其中步骤b)的超薄 氧化层被用作为半导体闸极氧化层、高介电常数 材料之界面层或TFT-LCD之闸极氧化层之界面层。 图式简单说明: 图1为依本发明的实施例1的方法所成长的超薄氧 化层的厚度与浸入时间的关系。 |
