TlxSi1-xN Schichten und ihre Herstellung

摘要

Die Erfindung betrifft ein Werkstück mit Beschichtung welche Beschichtung zumindest eine TixSi1-xN Schicht umfasst, dadurch gekennzeichnet, dass x≤0.85 und die TixSi1-xN Schicht Nanokristalle enthält und die enthaltenen Nanokristalle eine durchschnittliche Korngrösse von nicht mehr als 15 nm besitzen und eine (200) Textur aufweist. Die Erfindung betrifft ausserdem ein Verfahren zur Herstellung der vorgenannten Schicht, dadurch gekennzeichnet dass für die Herstellung ein Sputterverfahren eingesetzt wird bei dem es auf der Targetoberfläche des Sputtertargets zu Stromdichten von grösser 0.2 A/cm2 kommt und das Target ein TixSi1-x-Target ist, wobei x≤0.85.