Halbleiterstruktur und Verfahren zur Herstellung der Struktur

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Struktur mit den Schritten:–Bereitstellen eines Halbleiter-Schichtstapels, der ein Halbleiter-Substrat (1) von einem ersten Leitungstyp, eine hochdotierte vergrabene Schicht (2) von einem zweiten Leitungstyp und eine darauf angeordnete einkristalline Halbleiter-Schicht (3) von einem dritten Leitungstyp umfasst,–Herstellen einer tiefen Grabenisolierung (62) zwischen verschiedenen lateralen Bereichen der Halbleiter-Struktur und–Herstellen eines niederohmigen Kontaktes (52) zu der vergrabenen Schicht (2), dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt zur Herstellung der Grabenisolierung die Ätzung eines Grabens (6) und der Schritt zur Herstellung des Kontaktes zur vergrabenen Schicht (2) die Ätzung eines Loches (5) in die Oberfläche (32) der einkristallinen Halbleiter-Schicht (3) umfassen, wobei die Öffnungsweite des Grabens (6) größer als die Öffnungsweite des Loches (5) ist und die Tiefe des Grabens (6) größer als die Tiefe des Loches (5) ist, der Graben (6) und das Loch (5) in einem gemeinsamen Trockenätzschritt erzeugt werden und das Verfahren einen Schritt zum Auswählen eines Verhältnisses der Öffnungsweiten des Grabens (6) und des Loches (5) entsprechend des gewünschten Verhältnisses der Tiefe des geätzten Loches (5) zur Tiefe des geätzten Grabens (6) umfasst.