| 摘要 |
一种具混成应变(hybrid–strained)层之半导体装置，及其形成方法。此半导体装置包括：闸极介电层位在基材之上闸极介电层；闸极电极位在闸极介电层之上；一选择性的间隙壁对位于沿着闸极介电层与闸极电极之侧壁之上；实质上与闸极电极之一边缘对准之源极／汲极区域；与应变层覆盖源极／汲极区域、闸极电极与间隙壁，其中此应变层具有一第一部份与一第二部份。应变层之第一部份系实质上覆盖源极／汲极区域并具有一第一本质应变。应变层之第二部份之至少一部分实质上覆盖闸极电极与间隙壁并具有与第一本质应变形式相反之一第二本质应变。 |
