Halbleiterbauelement, Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement, sowie integrierte Leistungsschaltung

摘要

Halbleiterbauelement (100, 200), umfassend: ein erstes Halbleitergebiet (1) von einem ersten Leitfähigkeitstyp; mindestens eine erste und eine zweite Zone (2, 3) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, die jeweilige pn-Übergänge (13, 14) mit dem ersten Halbleitergebiet bilden, wobei die erste und die zweite Zone (2, 3) jeweils mindestens eine Diode oder einen Transistor enthalten; ein vergrabenes hochohmiges Gebiet (4); und mindestens eine Isolierstruktur (30), die die erste Zone (2) von der zweiten Zone (3) isoliert, wobei die Isolierstruktur (30) einen leitenden Plug (5) umfasst, der sich durch das vergrabene hochohmige Gebiet (4) erstreckt und mit dem ersten Halbleitergebiet (1) in ohmschem Kontakt steht.