发明名称 | 一种基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极的制备方法及应用 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极、制备方法及其在二次铝电池中的应用。所述复合正极由石墨烯阵列、硫和聚吡咯复合而成,具有连续三维导电骨架,制备过程中无需添加导电剂和粘结剂,工序简单、成本低廉、能量密度高,可有效提高二次铝电池的比容量、稳定性和循环性。 | ||
申请公布号 | CN104269541A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
申请号 | CN201410530718.1 | 申请日期 | 2014.10.10 |
申请人 | 南京中储新能源有限公司 | 发明人 | 赵宇光;钟毓娟 |
分类号 | H01M4/36(2006.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M4/133(2010.01)I;H01M10/05(2010.01)I | 主分类号 | H01M4/36(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极,其特征在于,包括:(a)石墨烯阵列,其特征在于,所述石墨烯阵列具有导电基底;(b)含硫活性物质;和(c)聚吡咯。 | ||
地址 | 210000 江苏省南京市新港经济技术开发区恒达路3号 |