发明名称 一种基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极的制备方法及应用
摘要 本发明公开了一种基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极、制备方法及其在二次铝电池中的应用。所述复合正极由石墨烯阵列、硫和聚吡咯复合而成,具有连续三维导电骨架,制备过程中无需添加导电剂和粘结剂,工序简单、成本低廉、能量密度高,可有效提高二次铝电池的比容量、稳定性和循环性。
申请公布号 CN104269541A 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201410530718.1 申请日期 2014.10.10
申请人 南京中储新能源有限公司 发明人 赵宇光;钟毓娟
分类号 H01M4/36(2006.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M4/133(2010.01)I;H01M10/05(2010.01)I 主分类号 H01M4/36(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于石墨烯阵列的聚吡咯硫正极,其特征在于,包括:(a)石墨烯阵列,其特征在于,所述石墨烯阵列具有导电基底;(b)含硫活性物质;和(c)聚吡咯。
地址 210000 江苏省南京市新港经济技术开发区恒达路3号