| 发明名称 | 半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体器件的制造方法、半导体器件及相机组件。根据实施方式，在第1基板的表面、背面及侧面上，形成绝缘膜。接着，除去第1基板的表面侧的绝缘膜，在除去了绝缘膜的第1基板的表面上形成粘接层。然后，经由粘接层，将第1基板和第2基板贴合。 | ||
| 申请公布号 | CN104269420A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201410527757.6 | 申请日期 | 2011.08.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 白野贵士;谷田一真;山口直子;本乡悟史;松村刚 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 戚宏梅;杨谦 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，在第1基板的表面、背面及侧面上形成作为绝缘膜的薄膜；在上述薄膜上形成保护膜；在上述第1基板的表面侧的上述保护膜上形成粘接层；经由上述粘接层将上述第1基板和第2基板贴合。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||