| 发明名称 | 制造化合物半导体器件的方法和洗涤剂 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造化合物半导体器件的方法和洗涤剂，所述方法包括：形成化合物半导体叠层结构；除去化合物半导体叠层结构的一部分，以便形成凹形部分；使用洗涤剂清洁凹形部分的内部，其中所述洗涤剂包含与凹形部分中存在的残留物相容的基础树脂和溶剂。 | ||
| 申请公布号 | CN102646587B | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201210037725.9 | 申请日期 | 2012.02.17 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 今纯一 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;C11D7/32(2006.01)I;C11D7/26(2006.01)I;C11D10/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 主权项 | 一种制造化合物半导体器件的方法，所述方法包括：形成化合物半导体叠层结构；除去所述化合物半导体叠层结构的一部分，以形成凹形部分；和使用洗涤剂清洁所述凹形部分的内部，其中所述洗涤剂包含溶剂以及与所述凹形部分中存在的残留物相容的基础树脂，其中所述清洁包括：将所述洗涤剂施用至所述叠层结构的设置有所述凹形部分的表面；通过加热所述洗涤剂，使得所述基础树脂和所述残留物互溶，并且通过蒸发所述洗涤剂中的所述溶剂来形成表面处理膜；和通过使用液体来溶解和移除所述表面处理膜，所述液体包含与所述洗涤剂中所含溶剂相同的溶剂。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||