发明名称 锑掺杂氧化锡粉末及其制造方法
摘要 本发明的锑掺杂氧化锡粉末为以如下为特征的锑掺杂氧化锡粉末,即(A)含有选自Sn<sup>2+</sup>、Sn<sup>4+</sup>、Sb<sup>3+</sup>及Sb<sup>5+</sup>中的至少三种,(B)作为Sn<sup>2+</sup>离子半径和Sn<sup>4+</sup>离子半径的平均值的Sn平均离子半径与作为Sb<sup>3+</sup>离子半径和Sb<sup>5+</sup>离子半径的平均值的Sb平均离子半径以公式:Sn平均离子半径:Sb平均离子半径=1:(0.96~1.04)表示,且(C)Sb相对于总计100摩尔的Sb及Sn为5~25摩尔。
申请公布号 CN104271510A 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201380016607.2 申请日期 2013.03.28
申请人 三菱综合材料株式会社;三菱材料电子化成株式会社 发明人 白石真也;梅田洋利;佐佐木铃夫
分类号 C01G19/02(2006.01)I;C01G19/00(2006.01)I;C01G30/00(2006.01)I;C09C3/06(2006.01)I;C09D5/32(2006.01)I;C09D7/12(2006.01)I;C09D201/00(2006.01)I 主分类号 C01G19/02(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 康泉;王珍仙
主权项 一种锑掺杂氧化锡粉末,其特征在于,(A)含有选自Sn<sup>2+</sup>、Sn<sup>4+</sup>、Sb<sup>3+</sup>及Sb<sup>5+</sup>中的至少三种,(B)Sn平均离子半径与Sb平均离子半径的比例以公式(1)表示,所述Sn平均离子半径为Sn<sup>2+</sup>离子半径和Sn<sup>4+</sup>离子半径的平均值,所述Sb平均离子半径为Sb<sup>3+</sup>离子半径和Sb<sup>5+</sup>离子半径的平均值,并且(C)Sb相对于总计100摩尔的Sb及Sn为5~25摩尔的比例,Sn平均离子半径:Sb平均离子半径=1:(0.96~1.04)    (1)。
地址 日本东京