用于CMOS-TDI图像传感器的电流累加型像素结构

摘要

本发明涉及模拟集成电路设计领域。为使CMOS图像传感器能够较好的实现TDI功能，提高CMOS-TDI图像传感器的行频，扩大TDI技术的应用范围，为此，本发明采用的技术方案是，用于CMOS-TDI图像传感器的电流累加型像素结构，由一个光电二极管、四个MOS晶体管M1～M4、4个开关S1～S4和两个电容C1～C2组成，具体连接关系描述如下：光电二极管的阳极连接到地线，其阴极连接到输入端；晶体管M1的漏极和栅极同时连接到输入端，其源级连接到电源VDD上。本发明主要应用于模拟集成电路设计。

主权项

一种用于CMOS‑TDI图像传感器的电流累加型像素结构，其特征是，由一个光电二极管、四个MOS晶体管M1～M4、4个开关S1～S4和两个电容C1～C2组成，具体连接关系描述如下：光电二极管的阳极连接到地线，其阴极连接到输入端；晶体管M1的漏极和栅极同时连接到输入端，其源级连接到电源VDD上；晶体管M2的源极连接到电源VDD上，其栅极与晶体管M1的栅极相连，其漏极同时连接到晶体管M3的漏极和栅极；晶体管M3的源极连接到地线上；电容C1与C2的下极板均连接到地线上，它们的上极板分别通过开关S1和S3连接到晶体管M3的栅极，再分别通过开关S2和S4连接到晶体管M4的栅极；晶体管M4的源极连接到地线上，其漏极连接到输出端。