半导体器件的制造方法

摘要

本发明揭示了一种半导体器件的制造方法。所述半导体器件的制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，以及NMOS的栅极和PMOS的栅极；在所述半导体衬底上形成拉应力层；对所述拉应力层进行远程等离子体处理；通过光刻刻蚀工艺去除PMOS区上的拉应力层；在所述半导体衬底上形成压应力层；对所述压应力层进行远程等离子体处理；通过光刻刻蚀工艺去除NMOS区上的压应力层。本发明在拉应力层和压应力层进行光刻之前，先进行了远程等离子体处理，如此使得拉应力层和压应力层的表面趋向于是氧化硅，降低了光阻被污染的几率，从而提高了光刻性能，防止了光阻残余的形成。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，以及NMOS的栅极和PMOS的栅极；在所述半导体衬底上形成拉应力层；对所述拉应力层进行远程等离子体处理；通过光刻刻蚀工艺去除PMOS区上的拉应力层；在所述半导体衬底上形成压应力层；对所述压应力层进行远程等离子体处理；通过光刻刻蚀工艺去除NMOS区上的压应力层。