| 发明名称 | 一种高压直流换流阀的晶闸管监控触发单元的支承模块 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种高压直流换流阀的晶闸管监控触发单元的支承模块，所述支撑模块为箱体结构，所述晶闸管监控触发单元设置于晶闸管的散热器上，所述晶闸管为具有四层或四层以上交错P、N层的半导体装置，且在与作为阴极的N型半导体层接触的P型半导体层中相对于该作为阴极的N型半导体层的区域具有第一开口，所述支撑模块由两个侧面板(2)、两个或两个以上的端板(1)、底板(5)和板卡支架(7)组成，所述板卡支架(7)内设置有插槽，所述板卡支架(7)固定在所述底板(5)上；采用本发明提供的支承模块，减小了晶闸管的监控触发单元在工作的时候的震动，并且在该支撑模块的上部使端盖倾斜放置，起到防尘、防水的作用。 | ||
| 申请公布号 | CN104270017A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201410510746.7 | 申请日期 | 2014.09.28 |
| 申请人 | 国家电网公司;国网智能电网研究院;中电普瑞电力工程有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院 | 发明人 | 张升;欧阳文敏;李云鹏;谢剑;栾洪洲 |
| 分类号 | H02M7/00(2006.01)I | 主分类号 | H02M7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人 | 徐国文 |
| 主权项 | 一种高压直流换流阀的晶闸管监控触发单元的支承模块，所述晶闸管为具有四层或四层以上交错P、N层的半导体装置，且在与作为阴极的N型半导体层接触的P型半导体层中相对于该作为阴极的N型半导体层的区域具有第一开口；所述支撑模块为箱体结构，所述箱体结构由两个侧面板(2)、两个或两个以上的端板(1)、底板(5)和板卡支架(7)组成，所述板卡支架(7)为竖直片状结构，所述板卡支架(7)内设置有插板卡(4)的插槽，所述底板(5)的长度大于所述侧面板(2)，其特征在于，所述板卡支架(7)固定在所述底板(5)上。 | ||
| 地址 | 100031 北京市西城区西长安街86号 | ||