| 主权项 |
1.一种非接触式清洁系统,用以去除成形设备中的 残留物,该非接触式清洁系统至少包含: 成形材料; 连接于该成形设备之转动装置,该转动装置的表面 区域设有微结构,当该表面区域与该成形材料接触 时,将该微结构转印至该成形材料上,以于该成形 材料上形成该微结构; 能量源产生装置,用以形成能量束;以及 控制系统,连接于该能量源产生装置,用以控制该 能量源产生装置的位置及投射步骤,使该能量束准 确地投射至该转动装置的该表面区域上,当该表面 区域与该成形材料分离时,藉由调整投射在该转动 装置的该能量束之参数,以去除附着在该微结构上 成形材料的残留物。 2.如申请专利范围第1项所述之非接触式清洁系统, 其中该微结构的尺寸小于500m。 3.如申请专利范围第1项所述之非接触式清洁系统, 更包含一感测器,用以感测附着在该表面区域的该 成形材料的残留物,根据感测结果以该能量束去除 附着在该微结构的该成形材料的残留物。 4.如申请专利范围第1项所述之非接触式清洁系统, 更包含一抽气装置,用以抽取该能量束与附着在该 微结构上的该成形材料的残留物两者反应之后的 生成物。 5.如申请专利范围第1项所述之非接触式清洁系统, 其中该成形材料系为高分子物质。 6.如申请专利范围第1项所述之非接触式清洁系统, 其中该能量源产生装置系为电浆源产生器。 7.如申请专利范围第1项所述之非接触式清洁系统, 其中该能量源产生装置系为雷射源产生器。 8.如申请专利范围第1项所述之非接触式清洁系统, 其中该能量束之参数系选自能量密度、移动速度 、投射范围以及投射间隔所组成的族群。 9.一种用于去除位于模具上残留物之非接触式清 洁系统,适用于成形机具中,该非接触式清洁系统 至少包含: 成形材料; 连接于该成形机具之滚柱模具,该滚柱模具的圆周 表面具有转印微结构,当该圆周表面与该成形材料 接触时,用以使该转印微结构转印至该成形材料上 ; 能量源产生装置,用以形成能量束;以及 耦接于该能量源产生装置的控制器,用以控制该能 量源产生装置的投射步骤及位置,使该能量束投射 至该滚柱模具的该圆周表面上,当该表面区域与该 成形材料分离时,藉由调整该能量源产生装置投射 在该转印微结构的该能量束之参数,以去除附着在 该微结构上成形材料的残留物。 10.如申请专利范围第9项所述之非接触式清洁系统 ,其中该微结构的尺寸小于500m。 11.如申请专利范围第9项所述之非接触式清洁系统 ,更包含感测器,用以感测附着在该圆周表面的该 成形材料的残留物,并且根据感测结果以该能量束 去除附着在该微结构的该成形材料的残留物。 12.如申请专利范围第9项所述之非接触式清洁系统 ,更包含抽气装置,用以抽取该能量束与附着在该 转印微结构上的该成形材料的残留物两者反应之 后的生成物。 13.如申请专利范围第9项所述之非接触式清洁系统 ,其中该成形材料系为高分子物质。 14.如申请专利范围第13项所述之非接触式清洁系 统,其中该高分子物质系为热塑成形高分子物质。 15.如申请专利范围第13项所述之非接触式清洁系 统,其中该高分子物质系为感光成形高分子物质。 16.如申请专利范围第9项所述之非接触式清洁系统 ,其中该能量源产生装置系为电浆源产生器。 17.如申请专利范围第9项所述之非接触式清洁系统 ,其中该能量源产生装置系为雷射源产生器。 18.如申请专利范围第9项所述之非接触式清洁系统 ,其中该能量源产生装置系为电子束源产生器。 19.如申请专利范围第9项所述之非接触式清洁系统 ,其中该能量束之参数系选自能量密度、移动速度 、投射范围以及投射间隔所组成的族群。 20.如申请专利范围第9项所述之非接触式清洁系统 ,其中该滚柱模具的材质为金属材质。 21.如申请专利范围第9项所述之非接触式清洁系统 ,其中该滚柱模具的材质为陶瓷材质。 22.如申请专利范围第9项所述之非接触式清洁系统 ,其中该转印微结构系为光学结构。 23.一种非接触式清洁方法,适用于成形设备的转动 装置中,用以去除该转动装置上的残留物,该非接 触式清洁方法至少包含下列步骤: 将该转动装置上表面区域的微结构转印至成形材 料上; 利用能量源产生装置形成能量束; 以控制器控制该能量源产生装置的投射步骤及位 置,藉由调整投射在该转动装置的该能量束之参数 ,使该能量束准确地投射至该转动装置的表面区域 上;以及 投射该能量束,以去除附着在该转动装置的该微结 构上成形材料的残留物。 24.如申请专利范围第23项所述之非接触式清洁方 法,投射该能量束去除附着在该微结构上成形材料 的残留物的步骤之后,更包含以抽气装置抽取该能 量束与附着在该微结构上的该成形材料的残留物 两者反应之后的生成物。 25.如申请专利范围第23项所述之非接触式清洁方 法,其中该投射步骤中,当该成形设备的转动装置 运转时,同步以该能量束去除附着之成形材料的残 留物。 26.如申请专利范围第23项所述之非接触式清洁方 法,其中以该控制器控制能量来源产生装置的投射 步骤及位置,更包含感测位于该转动装置的表面区 域上附着该成形材料的残留物的位置,根据感测结 果以该能量束去除附着之该成形材料的残留物。 27.如申请专利范围第23项所述之非接触式清洁方 法,其中该投射步骤,当该成形设备的转动装置处 于待机状态时,以该能量束去除附着之该成形材料 的残留物。 28.如申请专利范围第23项所述之非接触式清洁方 法,其中该能量束与该成形材料反应,以去除附着 之该成形材料的残留物,而不会与该转动装置的表 面区域产生反应。 29.如申请专利范围第23项所述之非接触式清洁方 法,其中该成形材料系为高分子物质。 30.如申请专利范围第29项所述之非接触式清洁方 法,其中去除位于该转动装置表面区域上附着之成 形材料的残留物系以该能量束打断该高分子物质 中碳、氢、氧之间的键结。 31.如申请专利范围第23项所述之非接触式清洁方 法,其中利用该能量源产生装置形成该能量束的步 骤中,至少包含使用电浆源产生器形成该能量束。 32.如申请专利范围第23项所述之非接触式清洁方 法,其中利用该能量源产生装置形成该能量束的步 骤中,至少包含使用电子束产生器形成该能量束。 33.如申请专利范围第23项所述之非接触式清洁方 法,其中利用该能量源产生装置形成该能量束的步 骤中,至少包含使用雷射源产生器形成该能量束。 图式简单说明: 第1图系绘示根据本发明之一种非接触式的清洁系 统及其元件的示意图。 第2图系绘示根据本发明第1图中将转动装置的微 结构转印至成形材料之上并且利用能量束清除成 形材料的残留物之详细示意图。 第3图系绘示根据本发明之非接触式清洁方法之步 骤流程图。 |
