全局曝光方式的图像传感器像素结构

摘要

本实用新型公开了一种全局曝光方式的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管区，电荷传输晶体管，复位晶体管，源跟随晶体管，选择晶体管，还包括设于光电二极管区外围的多晶硅环和薄氧化层环、晶体管电容器件、N型离子区。多晶硅环为高电平时在光电二极管区感应出电场，为低电平时不感应出电场，光电二极管区的积分时间为多晶硅环高电平时间；晶体管电容器件位于N型离子区中，晶体管电容用来存储光电二极管区收集到的光电电荷，适用于全局曝光方式的图像传感器。

主权项

一种全局曝光方式的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管区，电荷传输晶体管，复位晶体管，源跟随晶体管，选择晶体管，其特征在于，还包括设于光电二极管区外围的多晶硅环和薄氧化层环、晶体管电容器件、N型离子区；所述多晶硅环位于光电二极管区侧壁，所述多晶硅环与光电二极管区之间设置有薄氧化层环，多晶硅环用来控制光电二极管区有无电场；所述晶体管电容器件位于所述N型离子区中，用来存储光电二极管区收集到的光电电荷。