发明名称 成形体、包覆体、成形体的制造方法及绝热方法
摘要 本发明涉及成形体、包覆体、成形体的制造方法及绝热方法,本发明提供与水等液体接触也不易崩塌、且表现出充分的绝热性能的成形体、将所述成形体收纳在外覆材料中而得到的包覆体、所述成形体的制造方法以及使用所述成形体及/或包覆体的绝热方法。所述成形体含有二氧化硅,具有细孔,细孔直径为0.05μm以上0.5μm以下的细孔的累积细孔容积V与细孔直径为0.003μm以上150μm以下的细孔的累积细孔容积V<sub>0.003</sub>的比例R为70%以上,细孔直径为0.05μm以上150μm以下的细孔的累积细孔容积V<sub>0.05</sub>为0.5mL/g以上2mL/g以下,30℃下的热导率为0.05W/m·K以下。
申请公布号 CN103044061B 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201110308282.8 申请日期 2011.10.11
申请人 旭化成化学株式会社 发明人 饭塚千博;新纳英明
分类号 C04B38/00(2006.01)I;C04B32/00(2006.01)I 主分类号 C04B38/00(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种成形体,其含有二氧化硅,具有细孔,细孔直径为0.05μm以上0.5μm以下的细孔的累积细孔容积V与细孔直径为0.003μm以上150μm以下的细孔的累积细孔容积V<sub>0.003</sub>的比例R为70%以上,细孔直径为0.05μm以上150μm以下的细孔的累积细孔容积V<sub>0.05</sub>为0.5mL/g以上2mL/g以下,30℃下的热导率为0.05W/m·K以下,所述成形体中的二氧化硅的含有率为50质量%以上。
地址 日本东京都