发明名称 磁気トンネル接合において磁界を制御するための装置、方法、メモリ・セル
摘要 An example embodiment is an apparatus for controlling a magnetic direction of a magnetic free layer. The apparatus includes a writer with a first magnetic write layer and a second magnetic write layer. Applying a write voltage across first and second magnetic write layers causes a magnetic anisotropy of one of the magnetic write layers to switch from parallel to the plane of the magnetic write layers to orthogonal to the plane of the magnetic write layers. The magnetic write layer with the magnetic anisotropy parallel to the plane of the magnetic write layers induces the magnetic direction in the magnetic free layer.
申请公布号 JP5648940(B2) 申请公布日期 2015.01.07
申请号 JP20130538716 申请日期 2011.08.18
申请人 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションINTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 ウォレッジ、ダニエル、シー
分类号 H01L21/8246;G11C11/15;H01L27/105;H01L43/08 主分类号 H01L21/8246
代理机构 代理人
主权项
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