一种基准电压源

摘要

本发明涉及模拟集成电路技术，具体的说是涉及一种基准电压源。本发明所述的一种基准电压源，其特征在于，包括输入偏置和启动电路、开关电容电路和运算放大器和基准产生电路，所述输入偏置和启动电路与所述开关电容电路连接，所述开关电容电路与运算放大器和基准产生电路连接。本发明的有益效果为，解决了由晶体管失配以及电阻的偏差对于基准电压精度的影响，运用开关电容技术，基准电压源电路全由MOSFET构成，避免使用大电阻和寄生双极晶体管，提高了基准电压的精度，减小了版图面积，降低了电路噪声，且使得输出基准电压可以根据实际的需要进行调整，适用于标准的CMOS工艺。本发明尤其适用于基准电压源。

主权项

一种基准电压源，其特征在于，包括输入偏置和启动电路、开关电容电路、运算放大器和基准产生电路，所述输入偏置和启动电路与所述开关电容电路连接，所述开关电容电路与运算放大器和基准产生电路连接；输入偏置和启动电路用于输出启动信号启动基准电压源，使基准电压源电路开始工作，开关电容电路接受输入偏置和启动电路的信号，同时通过控制开关反馈改变偏置和启动电路的输出，电路通过后一级的控制信号选择输入，开关电容电路的输出控制信号到运算放大器和基准产生电路，并与运算放大器和基准产生电路的输出端连接作基准电压源的输出端；所述输入偏置和启动电路包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第一NMOS管N1、第十二NMOS管N12、第十三NMOS管N13、第十四NMOS管N14、第十五NMOS管N15和第十六NMOS管N16，所述开关电容电路包括第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9、第十NMOS管N10、第十一NMOS管N11、第一逻辑控制信号SW1、第二逻辑控制信号SW2、第三逻辑控制信号SW3、第四逻辑控制信号SW4、第一电容C1、第二电容C2和第三电容C3，所述运算放大器和基准产生电路包括第五PMOS管P5、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8、第十七NMOS管N17、第十八NMOS管N18、第十九NMOS管N19和第四电容C4；其中，第一PMOS管P1的漏极与第十二NMOS管N12的栅极和第十三NMOS管N13的漏极连接，第十三NMOS管N13的栅极、第十四NMOS管N14的栅极和漏极、第十五NMOS管N15的栅极、第二PMOS管P2的漏极、第十六NMOS管N16的栅极连接，第十二NMOS管N12的漏极与第二PMOS管P2的栅极、第三PMOS管P3的栅极和漏极、第十五NMOS管N15的漏极、第四PMOS管P4的栅极、第五PMOS管P5的栅极、第六PMOS管P6的栅极连接，第十五NMOS管N15的源极和第十六NMOS管N16的漏极连接，第四PMOS管P4的漏极与第一NMOS管N1的漏极和栅极、第六NMOS管N6的漏极、第七NMOS管N7的漏极、第八NMOS管N8的漏极连接；第六NMOS管N6的源极和第二NMOS管N2的栅极和漏极、第三NMOS管N3的栅极和漏极、第四NMOS管N4的栅极和漏极、第五NMOS管N5的栅极和漏极连接，第七NMOS管N7的源极与第九NMOS管N9的漏极和第一电容C1的一端连接，第八NMOS管N8的源极与第十NMOS管N10的漏极和第二电容C2的一端连接，第二电容C2的另一端与第一电容C1的另一端、第七PMOS管P7的栅极、第十一NMOS管N11的源极、第三电容C3的一端连接；第十一NMOS管N11的漏极和第三电容C3的另一端和第六PMOS管P6的漏极、第四电容C4的另一端和第十九NMOS管N19的漏极连接作基准电压源的输出端；第一逻辑控制信号SW1与第六NMOS管N6的栅极和第八NMOS管N8的栅极连接，第二逻辑控制信号SW2与第七NMOS管N7的栅极连接，第三逻辑控制信号SW3第九NMOS管N9的栅极和第十NMOS管N10的栅极连接，第四逻辑控制信号SW4与第十一NMOS管N11的栅极连接；第七PMOS管P7的源极与第八PMOS管P8的源极和第五PMOS管P5的漏极连接、漏极与第十七NMOS管N17的漏极和栅极以及第十八NMOS管N18的栅极连接，第八PMOS管P8的漏极与第四电容C4的一端、第十八NMOS管N18的漏极和第十九NMOS管N19的栅极连接；第一PMOS管P1的源极、第二PMOS管P2的源极、第三PMOS管P3的源极、第四PMOS管P4的源极、第五PMOS管P5的源极和第六PMOS管P6的源极均连接电源VDD；第一NMOS管N1的源极、第二NMOS管N2的源极、第三NMOS管N3的源极、第四NMOS管N4的源极、第五NMOS管N5的源极、第九NMOS管N9的源极、第十NMOS管N10的源极、第十二NMOS管N12的源极、第十三NMOS管N13的源极、第十四NMOS管N14的源极、第十六NMOS管N16的源极、第十七NMOS管N17的源极、第十八NMOS管N18的源极、第十九NMOS管N19的源极、第一PMOS管P1的栅极和第八PMOS管P8的栅极均接地。