发明名称 双开中子屏蔽门防辐射层结构
摘要 本实用新型公开了一种双开中子屏蔽门防辐射层结构,包括有含硼聚乙烯中子屏蔽层和碳钢γ射线屏蔽层,碳钢γ射线屏蔽层置于屏蔽门的两个门扉的内外两侧,并与门扉上、下及外侧边支撑结构钢焊接成一体,形成一侧开口的盒式整体结构,两门扉中间的搭接缝采用5级阶梯式设计,屏蔽门的门框同样采用含硼聚乙烯中子屏蔽层和碳钢γ射线屏蔽层,并按门扉的排布顺序制作,两门扉的左右及上门缝采用固定于门框上的向内凸起的台阶进行遮蔽,下门缝采用可转动的活动挡块进行遮蔽。本实用新型能够在额外占用极少安装空间的情况下,将高能中子、γ射线混合辐射场的剂量降低10<sup>4</sup>~10<sup>5</sup>倍,并且具备良好的缝隙屏蔽效果,提高了屏蔽门防辐射的均匀性。
申请公布号 CN204087827U 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201420339985.6 申请日期 2014.06.23
申请人 中国科学院等离子体物理研究所 发明人 胡立群;钟国强;张海军;周瑞杰;刘光柱
分类号 G21F1/10(2006.01)I;G21F3/00(2006.01)I 主分类号 G21F1/10(2006.01)I
代理机构 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 代理人 余成俊
主权项 一种双开中子屏蔽门防辐射层结构,其特征在于:包括有含硼聚乙烯中子屏蔽层和碳钢γ射线屏蔽层,碳钢γ射线屏蔽层置于屏蔽门的两个门扉的内外两侧,并与门扉上、下及外侧边支撑结构钢焊接成一体,形成一侧开口的盒式整体结构,该开口处位于盒式整体结构内侧,从所述内侧开口处将含硼聚乙烯中子屏蔽层材料装入门扉内部,两门扉中间的搭接缝采用5级阶梯式设计,屏蔽门的门框同样采用含硼聚乙烯中子屏蔽层和碳钢γ射线屏蔽层,并按门扉的排布顺序制作,两门扉的左右及上门缝采用固定于门框上的向内凸起的台阶进行遮蔽,下门缝采用可转动的活动挡块进行遮蔽。 
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