发明名称 |
改善晶圆边缘缺陷的装置 |
摘要 |
本发明涉及薄膜沉积领域,具体涉及一种改善晶圆边缘缺陷的装置,该装置包括一用于放置晶圆的基座,基座边缘环绕设有吹气孔;在将晶圆放置在基座上进行薄膜沉积工艺时,通过吹气孔向晶圆边缘吹扫气体,以改善晶圆边缘表面薄膜厚度的均匀性,减少了由于晶圆边缘厚度过厚从而容易剥落并掉至集成电路区所形成的缺陷,有效提高了产品良率,避免了不必要的清洗流程,节省了人力和物力资源,提升了产品的生产效率。 |
申请公布号 |
CN104269370A |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
CN201410440477.1 |
申请日期 |
2014.09.01 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
雷通;桑宁波 |
分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
吴俊 |
主权项 |
一种改善晶圆边缘缺陷的装置,其特征在于,所述装置包括一用于放置晶圆的基座,所述基座边缘环绕设有吹气孔;在将晶圆放置在所述基座上进行薄膜沉积工艺时,通过所述吹气孔向所述晶圆边缘吹扫气体,以改善晶圆边缘表面薄膜厚度的均匀性。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |