| 发明名称 | 堆栈式N型晶体管以及静电保护电路 | ||
| 摘要 | 本发明的堆栈式N型晶体管，包括有半导体衬底、器件区、设置于器件区内的N型注入区，所述N型注入区两侧分别对称设置至少两个NMOS晶体管，所述N型注入区与相邻的所述NMOS晶体管的漏极相连，所述N型注入区的表面区域内形成有N型连接区，并且，距离所述N型注入区最远的所述NMOS晶体管的源极形成N型深掺杂区。本发明中，通过增加与所述注入区相邻的NMOS晶体管的漏极电阻，使得形成的寄生NPN晶体管的寄生内阻增加，因此，静电保护电路电流路径上的导通电阻增加，使得二次击穿电压提高，每个寄生NPN晶体管均可以开启，使得导通电流均匀的流过每个NPN晶体管，提高静电保护能力。 | ||
| 申请公布号 | CN104269440A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201410526102.7 | 申请日期 | 2014.09.30 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 单毅 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种堆栈式N型晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内包括器件区；N型注入区，位于所述器件区内；所述N型注入区两侧分别对称设置至少两个NMOS晶体管，所述N型注入区与相邻的所述NMOS晶体管的漏极相连；所述N型注入区的表面区域内形成有N型连接区；其中，距离所述N型注入区最远的所述NMOS晶体管的源极形成N型深掺杂区。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||