发明名称 采用快闪存储器的微处理器的程序代码保护方法
摘要 一种采用快闪存储器的微处理器的程序代码保护方法,其可针对厂商利用MCU开发产品而烧录程序代码的阶段下,包括步骤:烧录开始时,通过烧写工具给MCU上电,使MCU进入Mode0模式;对整个Flash的参数区和资料区作擦除操作;对Flash的参数区写入特定参数,将Flash的资料区划分为P1、P2和P3三个区;分别对P1、P2区作资料烧录,P1区烧录应用程序代码,P2区烧录底层驱动和固件升级控制代码;对Flash的参数区写入特定参数,将P1、P2区设定为Mode1模式下只读,将P3区设定为Mode1模式下可读、可写和可擦除;对Flash的参数区写入特定参数,开启密钥校验单元,并对P1区设定校验用密钥及校验机制。本发明能避免Flash MCU因外部干扰而导致程序破坏或资料丢失,且有效保护原始代码不被读出窃取。
申请公布号 CN104268448A 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201410534831.7 申请日期 2014.10.11
申请人 中颖电子股份有限公司 发明人 张钦
分类号 G06F21/12(2013.01)I;G06F21/62(2013.01)I;G06F21/78(2013.01)I 主分类号 G06F21/12(2013.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 徐洁晶
主权项 一种采用快闪存储器的微处理器的程序代码保护方法,所述微处理器内包括一密钥校验单元;所述程序代码保护方法系针对厂商利用所述微处理器开发产品而烧录程序代码的阶段下对所述程序代码进行保护,其包括步骤:A.烧录开始时,通过特定的烧写工具给所述微处理器上电,使所述微处理器进入Mode0模式;B.对整个所述快闪存储器的参数区和资料区进行擦除操作;C.对所述快闪存储器的参数区写入特定参数,将所述快闪存储器的资料区划分为P1、P2和P3共三个区;D.分别对所述P1区和所述P2区进行资料烧录,其中所述P1区烧录应用程序代码,所述P2区烧录底层驱动和固件升级控制代码,所述P3区作为缓冲区,不烧录内容,保持为空;E.对所述快闪存储器的参数区写入特定参数,将所述P1区和所述P2区设定为Mode1模式下只读,将所述P3区设定为Mode1模式下可读、可写和可擦除;F.对所述快闪存储器的参数区写入特定参数,开启所述密钥校验单元,并对所述P1区设定校验用密钥以及校验机制。
地址 200335 上海市长宁区金钟路767弄3号