发明名称 |
一种高陡岩质边坡植被种植方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高陡岩质边坡植被种植方法,该方法包括以下步骤:步骤一,在高陡岩质边坡坡面凿若干种植穴;步骤二,在所述种植穴的底部钻若干根系孔;步骤三,根系孔钻完后,用水浇入种植穴和根系孔中,待积水消失后用黏土与水混合搅拌制成泥浆,在根系孔中灌满泥浆,并在种植穴的内壁涂抹一层泥浆;步骤四,在所述种植穴中,从底部开始由下往上依次填充储水层、营养土层、种子层和防蒸发层。采用本发明的高陡岩质边坡植被种植方法,解决了植被水分问题,增加了植被的存活率,降低了维护成本。 |
申请公布号 |
CN104255280A |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
CN201410571514.2 |
申请日期 |
2014.10.23 |
申请人 |
陈洪凯;杨铭;吴帆 |
发明人 |
陈洪凯;杨铭;吴帆 |
分类号 |
A01G1/00(2006.01)I;A01G9/02(2006.01)I;E02D17/20(2006.01)I |
主分类号 |
A01G1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 |
代理人 |
王玉芝 |
主权项 |
一种高陡岩质边坡植被种植方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,在高陡岩质边坡坡面凿若干种植穴;步骤二,在所述种植穴的底部钻若干根系孔;步骤三,根系孔钻完后,用水浇入种植穴和根系孔中,待积水消失后用黏土与水混合搅拌制成泥浆,在根系孔中灌满泥浆,并在种植穴的内壁涂抹一层泥浆;步骤四,在所述种植穴中,从底部开始由下往上依次填充储水层、营养土层、种子层和防蒸发层。 |
地址 |
400074 重庆市交通大学岩土工程研究所 |