发明名称 一种高陡岩质边坡植被种植方法
摘要 本发明公开了一种高陡岩质边坡植被种植方法,该方法包括以下步骤:步骤一,在高陡岩质边坡坡面凿若干种植穴;步骤二,在所述种植穴的底部钻若干根系孔;步骤三,根系孔钻完后,用水浇入种植穴和根系孔中,待积水消失后用黏土与水混合搅拌制成泥浆,在根系孔中灌满泥浆,并在种植穴的内壁涂抹一层泥浆;步骤四,在所述种植穴中,从底部开始由下往上依次填充储水层、营养土层、种子层和防蒸发层。采用本发明的高陡岩质边坡植被种植方法,解决了植被水分问题,增加了植被的存活率,降低了维护成本。
申请公布号 CN104255280A 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201410571514.2 申请日期 2014.10.23
申请人 陈洪凯;杨铭;吴帆 发明人 陈洪凯;杨铭;吴帆
分类号 A01G1/00(2006.01)I;A01G9/02(2006.01)I;E02D17/20(2006.01)I 主分类号 A01G1/00(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 王玉芝
主权项 一种高陡岩质边坡植被种植方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,在高陡岩质边坡坡面凿若干种植穴;步骤二,在所述种植穴的底部钻若干根系孔;步骤三,根系孔钻完后,用水浇入种植穴和根系孔中,待积水消失后用黏土与水混合搅拌制成泥浆,在根系孔中灌满泥浆,并在种植穴的内壁涂抹一层泥浆;步骤四,在所述种植穴中,从底部开始由下往上依次填充储水层、营养土层、种子层和防蒸发层。
地址 400074 重庆市交通大学岩土工程研究所
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