一种二硅化钼发热元件制备方法

摘要

本发明公开了一种二硅化钼发热元件制备方法，首先取铝硅酸盐与Mo粉、Si粉进行湿式球磨混料；然后，进行练泥、制坯，烧结，得到二硅化钼发热元件；本发明采用铝硅酸盐与Mo粉、Si粉直接进行球磨混合、成型、烧结的一体化工艺，确保成型坯体中各组分分布均匀、粒度合适，烧结过程中，Mo粉与Si粉直接反应生成均匀分布的二硅化钼组分。制备的二硅化钼发热元件致密度高、强度高、使用温度高、使用寿命长，克服了现有技术存在生产工艺复杂，生产周期长，粉体损失大，易引入杂质，降低粉体纯度而导致的发热元件强度不够，使用温度降低，寿命短等缺点。本发明工艺简单，生产周期短、成本低。适于工业化生产，可替代现有二硅化钼发热元件制备工艺。

主权项

一种二硅化钼发热元件制备方法，由下述步骤组成：第一步：混料按设计的质量比配取铝硅酸盐与Mo粉、Si粉构成的混合粉末作为球磨物料，将球磨物料置于球磨罐中，添加占球磨物料质量50‑150％的无水乙醇，球磨混合均匀后，于100℃以下真空干燥，获得混合料；控制球磨物料中铝硅酸盐与所述混合粉末质量比为：铝硅酸盐︰混合粉末＝2～10︰98～90；控制混合粉末中Mo粉与Si粉的摩尔比为1:2；第二步：练泥、制坯取第一步得到的混合料置于真空炼泥机中，将练好的泥料按设计的二硅化钼发热元件形状挤压成型，制得粗坯，将粗坯在常温下晾干10‑24h后，分三个阶段加热、保温、干燥，最高保温温度≤100℃，获得干燥坯体。第三步：烧结将第二步所得干燥坯体在真空环境下加热至1500℃‑1700℃烧结、保温后随炉冷却至室温，得到二硅化钼发热元件。