TaSiN膜之成膜方法

摘要

在处理容器内配置基板,对上述处理容器内导入具有Ta=N键结之有机Ta化合物气体、和含Si气体、和含N气体,然后藉由CVD来成膜TaSiN膜;此藉由控制处理容器内含Si气体之分压、处理容器内总压力、成膜温度、及含N气体之分压的最少一项,来控制膜中Si浓度。尤其,使用SiH4气体做为含Si气体时,在特定处理条件下,利用期望之膜中Si浓度可表现为SiH4气体分压之对数的一次函数,来决定SiH4气体的分压。