发明名称 太阳能电池
摘要 一种太阳能电池包括基板,其中具有p-n掺杂结构形成于基板之中,缓冲层形成于基板之上,凹槽图案,形成于缓冲层之中,缓冲层的材料包含但不限定为氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽层或其组合。缓冲层的较佳厚度为50~100奈米,且以溅镀法形成上开缓冲层。一金属层,形成于缓冲层之上,并填入凹槽图案。
申请公布号 TW200818527 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096128772 申请日期 2007.08.03
申请人 国硕科技工业股份有限公司 发明人 黄文瑞;林进章
分类号 H01L31/042(2006.01) 主分类号 H01L31/042(2006.01)
代理机构 代理人 林静文
主权项
地址 新竹县湖口乡光复南路2号