发明名称 电阻式记忆体元件及其制造方法与操作方法
摘要 一种电阻式记忆体元件,其配置于基底上,包括钨电极、上电极与氧化钨层。上电极配置于钨电极上。氧化钨层配置于钨电极与上电极之间。
申请公布号 TW200818190 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096126592 申请日期 2007.07.20
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 李明道;何家骅;赖二琨;谢光宇
分类号 G11C11/00(2006.01) 主分类号 G11C11/00(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号