发明名称 | 电阻式记忆体元件及其制造方法与操作方法 | ||
摘要 | 一种电阻式记忆体元件,其配置于基底上,包括钨电极、上电极与氧化钨层。上电极配置于钨电极上。氧化钨层配置于钨电极与上电极之间。 | ||
申请公布号 | TW200818190 | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
申请号 | TW096126592 | 申请日期 | 2007.07.20 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 李明道;何家骅;赖二琨;谢光宇 |
分类号 | G11C11/00(2006.01) | 主分类号 | G11C11/00(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |