| 发明名称 | 用于制造高纯硅的方法、通过该方法得到的高纯硅、以及用于制造高纯硅的硅原料 | ||
| 摘要 | 本发明提供：一种通过熔融硅的单向凝固制造高纯硅的方法，所述方法能够廉价地并且工业上容易地制造高纯硅，所述高纯硅具有低氧浓度和低碳浓度并且适用于如制造太阳能电池的用途；通过这种方法得到的高纯硅；以及用于制造高纯硅的硅原料。一种当通过使熔融硅原料在铸造容器中单向凝固来制造高纯硅时使用含有100至1000ppmw的碳和0.5至2000ppmw的锗作为原料制造高纯硅的方法，通过这种方法得到的高纯硅，以及用于制造高纯硅的硅原料。 | ||
| 申请公布号 | CN104271506A | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201280073015.X | 申请日期 | 2012.03.08 |
| 申请人 | 菲罗索拉硅太阳能公司 | 发明人 | 德丸慎司;日吉正孝;近藤次郎;堂野前等;岸田丰;中泽滋;尾上浩三 |
| 分类号 | C01B33/037(2006.01)I;C01B33/02(2006.01)I;C01B33/021(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 贺卫国 |
| 主权项 | 一种用于制造高纯硅的方法，其特征在于，所述方法是通过原料熔融硅在成型容器中的单向凝固制造高纯硅，并且使用具有100～1000ppmw的碳浓度和0.5～2000ppmw的锗浓度的熔融硅作为所述原料的高纯硅制造方法。 | ||
| 地址 | 西班牙马德里 | ||