用于形成光电子装置的技术

摘要

描述了涉及使用粒子加速器光束来从大块基板形成材料的薄膜的实施方式。在具体实施方式中，具有顶表面的大块基板被暴露到加速粒子的光束中。在某些实施方式中，该大块基板可包括GaN；在其他实施方式中，该大块基板可包括(111)单晶硅。然后，通过沿着由从光束灌输的颗粒形成的劈裂区域进行受控劈裂过程将薄膜或薄片材料与所述大块基板分离。在某些实施方式中，该分离的材料被直接结合在光电子装置内，例如，与从GaN大块材料劈裂的GaN薄膜。在一些实施方式中，该分离的材料可被用作模板，用于对光电子装置有用的的半导体材料(例如，GaN)的进一步生长。

主权项

一种方法，包括：设置工件，所述工件支撑额外材料的层；引入多个粒子通过所述额外材料，以在所述工件内形成劈裂区域；施加能量，以从所述工件的剩余部分劈下分离厚度的包括额外材料的所述层的工件材料；处理额外材料的所述层；以及将额外材料的所述层结合至基板，所述基板的热膨胀系数约等于额外材料的所述层的热膨胀系数。