发明名称 焊垫结构及其制造方法
摘要 本发明揭示了一种焊垫结构及其制造方法,形成于芯片的顶层金属上,包括:第一钝化层,形成于所述顶层金属上,且具有一开口,以露出顶层金属;金属焊垫层,形成于所述第一钝化层及其开口所露出的顶层金属之上,且顶层金属之上的金属焊垫层具有栅格结构;第二钝化层,形成于所述第一钝化层之上的金属焊垫层上。可见,其不再利用第一钝化层的栅格结构来定义金属焊垫层的栅格结构,而是以后续的第二钝化层为掩膜,利用刻蚀工艺来形成金属焊垫层的栅格结构,即实现了植入式焊垫结构,又避免了第二钝化层刻蚀过程中,由于金属焊垫层凹凸不平所引起的氧化物残留等问题的出现,提高了焊垫接线的牢固性。
申请公布号 CN102543921B 申请公布日期 2015.01.07
申请号 CN201010610257.0 申请日期 2010.12.23
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;武汉新芯集成电路制造有限公司 发明人 李桂花;刘君芳;李德勇;胡强
分类号 H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/485(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种焊垫结构的制造方法,其特征是,包括:提供芯片,并在其顶层金属上形成第一钝化层;对第一钝化层进行刻蚀,以在其上形成暴露出顶层金属的第一开口;在所述第一钝化层及其第一开口所露出的顶层金属之上形成金属焊垫层;对所述金属焊垫层进行刻蚀,以在所述第一开口的上方形成第二开口;在所述金属焊垫层上形成第二钝化层;对所述第二开口内的第二钝化层进行刻蚀,以在第二钝化层上形成栅格结构;以所述第二钝化层为掩模,刻蚀所述金属焊垫层,以在金属焊垫层上形成栅格结构;去除所述第二开口内的第二钝化层。
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