金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路

摘要

本发明提供了一种金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路。根据本发明的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法包括：介质层提供步骤，用于提供介质层；电容器槽形成步骤，用于在介质层中形成用于形成电容器的电容器槽；电容器槽填充步骤，用于在电容器槽中填充氮化硅；电容器图案形成步骤，用于使所填充的氮化硅图案化，从而形成多个氮化硅柱；氧化硅沉积步骤，用于在氮化硅柱的侧壁上沉积氧化硅；以及金属填充步骤，用于利用金属填充图案化的氮化硅中形成的凹部。根据本发明，可有效地提高层间和层内电容器的电容，改善包含金属-多层绝缘体-金属电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性。

主权项

一种金属‑多层绝缘体‑金属电容器制造方法，其特征在于包括：介质层提供步骤，用于提供介质层；电容器槽形成步骤，用于在介质层中形成用于形成电容器的电容器槽；电容器槽填充步骤，用于在电容器槽中填充氮化硅；电容器图案形成步骤，用于使所填充的氮化硅图案化，从而形成多个氮化硅柱；氧化硅沉积步骤，用于在氮化硅柱的侧壁上沉积氧化硅；导线槽形成步骤，用于在介质层中形成用于形成导线的导线槽；金属填充步骤，用于利用金属填充图案化的氮化硅中形成的凹部，以及填充导线槽以形成导线部分；重复所述介质层提供步骤、所述电容器槽形成步骤、所述电容器槽填充步骤、所述电容器图案形成步骤、所述氧化硅沉积步骤、所述导线槽形成步骤、以及所述金属填充步骤。