一种半导体量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了属于量子点发光二极管技术领域的一种价格低廉，可溶液加工的阳极修饰层及用该修饰层制备量子点发光二极管的方法。该半导体量子点发光二极管包括依次层叠的衬底、高功函阳极层、阳极修饰层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层(可以没有)和低功函阴极层，其中，所述阳极修饰层为二(乙酰丙酮)氧化钼通过在空气中加热转变而成的氧化钼薄膜。以氧化钼为阳极修饰材料，将其引入量子点发光二极管中，实现了空穴的高效传输；并且与现有的PEDOT:PSS相比，本发明还具有修饰层不腐蚀阳极、发光效率高、工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。

主权项

一种半导体量子点发光二极管的制备方法，其特征在于：具体制备如下：将溅射有氧化铟锡(ITO)的透明导电玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗，氮气吹干，在3000rpm的转速下旋涂2.5mg/mL溶于异丙醇的二(乙酰丙酮)氧化钼溶液，150℃烘烤10分钟，自然冷却，得到阳极修饰层氧化钼薄膜，阳极修饰层氧化钼膜的厚度为将20mg/mL溶于氯苯的Poly‑TPD溶液在2000rpm的转速下直接旋涂于上述阳极修饰层上，150℃退火30min，作为空穴传输层；接着在上面旋涂OD为11.8的CdSe/ZnS核壳结构半导体量子点溶液，80℃退火30min，作为发光层；然后在4×10^‑4Pa下真空蒸镀23nm的Alq3，得到电子传输层；最后，在4×10^‑4帕下真空蒸镀15nm的钙和100nm的铝作电极，得到半导体量子点发光二极管。