发光二极管开路失效旁路开关及包含所述旁路开关的电路

摘要

本发明涉及电学领域旁路开关，特别是发光二极管开路失效旁路开关及包含所述旁路开关的电路。本发明是通过以下技术方案得以实现的：发光二极管开路失效旁路开关，它包括用于在与之并联的发光二极管开路失效时导通的执行器件，与执行器件并联并用于触发执行器件导通的触发器件，与执行器件串联并用于弥补执行器件与发光二极管之间压降差的弥补器件。此种旁路开关压降与发光二极管压降之差小于背景技术中旁路开关电路压降与发光二极管压降之差。

主权项

发光二极管开路失效旁路开关，其特征在于，它包括用于在与之并联的发光二极管开路失效时导通的执行器件，与执行器件并联并用于触发执行器件导通的触发器件，与执行器件串联并用于弥补执行器件与发光二极管之间压降差的弥补器件;所述执行器件为阴极门极和阳极门极通过两个电阻分别连接至它的阴极和阳极的晶闸管，触发器件为连接在晶闸管的阴极门极和阳极之间的齐纳二级管，所述弥补器件为和晶闸管串联且导通方向与晶闸管一致的硅二极管；所述晶闸管、硅二极管、齐纳二极管集成于半导体材料上，形成集成电路；所述集成电路在n型硅片（26）上制作，包括扩散形成的p型区域一（27）、p型区域二（28）、p型区域三（29）、在n型硅片（26）上形成的n型区域一（30）、在p型区域二（28）内形成的n型区域二（31）、n型区域三（32）搭接在n型硅片（26）和p型区域二（28）的边界上；金属一（34）是对p型区域一（27）形成的金属接触；金属二（33）和金属三（35）分别是对p型区域三（29）、n型区域一（30）和p型区域二（28）、n型区域二（31）形成的金属接触；所述晶闸管由n型硅片（26）和p型区域二（28）、p型区域三（29）、n型区域二（31）构成，n型区域三（32）构成所述齐纳二极管的负极，p型区域一（27）构成所述硅二极管的正极，而p型区域二（28）和n型硅片（26）分别构成所述齐纳二极管、所述硅二极管的正极和负极。