一种检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法

摘要

本发明涉及到集成电路制造领域，尤其涉及到一种检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法，通过提供一去除氧化隔离层的一半导体衬底，并观察形成位于NMOS晶体管和PMOS晶体管的各源极、漏极上的金属接触孔的亮暗程度，通过进一步的分析发生金属接触孔的亮度异常变化来判断出下面的P离子阱与N离子阱的间距，可以分析出不同离子阱间距发生离子阱形貌偏移时对器件性能的影响。

主权项

一种检测离子阱注入形貌对器件性能影响的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1、于一衬底分别掺杂P型离子和N型离子，形成多个离子阱组，各所述离子阱组均包括相邻的一P型离子阱和一N型离子阱，且任一离子阱组中的P型离子阱与N型离子阱之间的间距较其他余下离子阱组中的P型离子阱与N型离子阱的间距不同；步骤S2、于所述P型离子阱上制作一NMOS晶体管，于所述N型离子阱上制作一PMOS晶体管；步骤S3、形成位于所述NMOS晶体管和PMOS晶体管各自包括的源极、漏极上的金属接触孔；步骤S4、观察各离子阱组中邻近PMOS晶体管的P型离子阱的源极或漏极与邻近NMOS晶体管的N型离子阱的源极或漏极上的金属接触孔的亮暗变化；其中，通过观察所述金属接触孔的亮暗变化，检测P型离子阱或N型离子阱的形貌变化对器件性能未造成负面影响的P、N型离子阱的最小安全间距。