| 发明名称 | 一种肖特基二极管的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，该方法利用未加射频偏压的IMP溅镀法生长钛金属层，用传统PVD溅镀法生长氮化钛金属层，从而降低了电镀金属对肖特基接触表面造成金属损伤，提高了肖特基二极管的表面态质量，降低了肖特基二极管的反向漏电流，并进一步降低了肖特基二极管的能耗。 | ||
| 申请公布号 | CN101916723B | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201010235701.5 | 申请日期 | 2010.07.23 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | ;吴亚贞 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上生长外延层；在所述外延层上淀积阻隔氧化层；涂光刻胶、曝光、显影并进行光刻；刻蚀；去除光刻胶；用未加射频偏压的IMP溅镀法生长钛金属层，用PVD溅镀法生长氮化钛金属层；以及退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||