发明名称 |
一种使柔性材料层表面平坦化的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种使柔性材料层表面平坦化的方法,所述柔性材料层生长于器件表面,首先根据柔性材料层所覆盖的器件表面的凹凸结构制备硬质模版;然后将该模版置于柔性材料层上,使二者对准、紧密接触并固定,在模版的图形区域柔性材料层上的凸起被露出;接着通过等离子体刻蚀方法刻蚀柔性材料层表面的凸起。该方法能将柔性材料层存在的2微米以上的高度差缩减到1微米以内,实现柔性材料层的表面平坦化。 |
申请公布号 |
CN102723270B |
申请公布日期 |
2015.01.07 |
申请号 |
CN201210187294.4 |
申请日期 |
2012.06.07 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
张海霞;唐伟;孙旭明;王子然;彭旭华;孟博 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
李稚婷 |
主权项 |
一种使柔性材料层表面平坦化的方法,所述柔性材料层生长于器件表面,首先根据柔性材料层所覆盖的器件表面的凹凸结构制备硬质模版;然后将该模版置于柔性材料层上,使二者对准、紧密接触并固定,在模版的图形区域柔性材料层上的凸起被露出;接着通过等离子体刻蚀方法刻蚀柔性材料层表面的凸起,实现柔性材料层的表面平坦化,所述等离子体刻蚀的刻蚀气体是氧气,刻蚀功率为10‑1000W;所述模版为碳化硅模版,通过下述方法制备:1)在一衬底正面用等离子加强化学气相淀积方法生长SiC薄膜,条件为:压力700~1200mTorr,温度200~400℃,SiH<sub>4</sub>:20~60sccm,CH<sub>4</sub>:200~400sccm,Ar:200~400sccm,高频电源HF的频率为13.56MHz:10~20s,低频电源LF的频率为380kHz:20~30s,功率200~400W;2)在衬底背面形成掩膜;3)根据柔性材料层所覆盖的器件表面的凹凸结构,在衬底正面的SiC薄膜上刻蚀出使凸出部分露出的模版图形;4)对应于SiC薄膜的模版图形区域刻蚀衬底背面的掩膜,形成窗口;5)通过窗口刻蚀或腐蚀衬底,释放出衬底正面的模版图形。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |