| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体的n型接触电极及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供作为n型氮化物半导体的，例如Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>z</sub>N（x、y、z为满足0＜x≦1.0、0≦y≦0.1、0≦z＜1.0的有理数，x＋y＋z＝1.0）的n型接触电极的形成方法。该方法具有下述工序，即在该n型半导体层上形成从Ti、V、Ta这一组中选出的至少1种金属构成的第一电极金属层后，在800℃以上1200℃以下温度进行热处理的工序、以及在上述第一电极金属层上，形成包含Al等功函数为4.0eV～4.8eV，而且比电阻为1.5×10<sup>-6</sup>Ω·cm～4.0×10<sup>-6</sup>Ω·cm的金属构成的层的第二电极金属层后，在700℃以上1000℃以下温度进行热处理的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN102687247B | 申请公布日期 | 2015.01.07 |
| 申请号 | CN201080059112.4 | 申请日期 | 2010.12.22 |
| 申请人 | 株式会社德山 | 发明人 | 溜直树;木下亨 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L33/36(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人 | 刘粉宝 |
| 主权项 | 一种在Ⅲ族氮化物单晶构成的n型半导体层上形成n型接触电极的方法，其特征在于，包含下述工序，即在该n型半导体层上形成Ti、V、Ta这一组中选择出的至少1种构成的金属层形成的第一电极金属层后，在800℃以上1200℃以下温度进行热处理的工序、以及在所述第一电极金属层上形成包含功函数为4.0eV～4.8eV，而且比电阻为1.5×10<sup>－6</sup>Ω·cm～4.0×10<sup>－6</sup>Ω·cm的金属构成的高导电性金属层的第二电极金属层后，在700℃以上1000℃以下温度进行热处理的工序。 | ||
| 地址 | 日本国山口县周南市御影町1番1号 | ||