竖直型集成电路器件和存储器件

摘要

本发明提供了一种竖直型集成电路器件和存储器件。该竖直型集成电路器件包括衬底以及从该衬底竖直地突出的柱。柱包括其中的下杂质区和上杂质区以及在两者之间的竖直沟道区。柱的其中包括下杂质区的部分包括从该柱横向地延伸的台面。器件还包括第一导电线和第二导电线，第一导电线在柱的第一侧壁上延伸并电接触下杂质区，第二导电线在柱的邻近竖直沟道区的第二侧壁上延伸。第二导电线在垂直于第一导电线的方向上延伸并与台面间隔开。还论述了相关器件及其制造方法。

主权项

一种竖直型集成电路器件，包括：衬底；柱，从所述衬底竖直地突出，所述柱包括位于其中的下杂质区和上杂质区以及在所述下杂质区与所述上杂质区之间的竖直沟道区，其中所述柱的包括所述下杂质区的部分包含从该柱横向地延伸的第一台面和第二台面；位线，在所述柱的第一侧壁上和所述第一台面上延伸并电接触所述下杂质区，其中所述第一台面在垂直于所述位线的方向上横向地延伸，其中所述位线沿其下表面直接接触所述第一台面并沿其侧壁直接接触所述下杂质区；字线，在所述柱的邻近所述竖直沟道区且垂直于所述第一侧壁的第二侧壁上以及所述第二台面上延伸，所述字线在垂直于所述位线的所述方向上线性地延伸并与所述第二台面间隔开；以及栅极绝缘层，在所述竖直沟道区与所述字线之间的所述第二侧壁上延伸且位于所述第二台面和所述字线之间。