半导体器件的制备方法

摘要

本发明提出了一种半导体器件的制备方法，在半导体衬底内形成非晶化区，然后将半导体器件中的源漏区形成在非晶化区内，非晶化区能够抑制源漏区末端缺陷的生成，从而能够很好的降低半导体器件源漏区和半导体衬底之间的漏电；此外，在去除虚拟栅结构之后，在沟道区内形成短沟道抑制区，能够抑制半导体器件的短沟道效应，满足器件特征尺寸不断减小的需求。

主权项

一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括步骤： 提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有非晶化区，所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构和源漏区，所述源漏区形成于所述非晶化区内； 刻蚀去除所述虚拟栅极结构，暴露出所述半导体衬底的沟道区； 在所述半导体衬底的沟道区内形成短沟道抑制区； 在所述半导体衬底的沟道区上形成栅极结构。